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通知公告

掃描電鏡與拉曼光譜儀聯(lián)用系統(tǒng)(MIRA)試運(yùn)行公告

發(fā)布單位: 科研公共服務(wù)條件平臺(tái)

發(fā)布時(shí)間:2022-06-02

武漢大學(xué)科研公共服務(wù)條件平臺(tái)掃描電鏡與拉曼光譜儀聯(lián)用系統(tǒng)(MIRA),其中掃描部分已經(jīng)安裝調(diào)試完畢,拉曼系統(tǒng)由于疫情原因暫未安裝,為早日滿(mǎn)足校內(nèi)師生測(cè)試需求,即日起對(duì)校內(nèi)開(kāi)放試運(yùn)行,歡迎預(yù)約測(cè)試!

一、基本參數(shù)

掃描電子顯微鏡SEM

型號(hào):MIRA

廠(chǎng)家:捷克泰思肯公司(TESCAN)

分辨率:1.0 nm@ 30 kV 1.8 nm@ 1 kV

放大倍數(shù):2 x– 1000,000 x

加速電壓:0.05 – 30 kV

探針電流:2 pA–400 nA

樣品室:340 mm(寬度)x 315 mm(深度)

樣品臺(tái):5軸計(jì)算機(jī)控制,優(yōu)中心全自動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)樣品臺(tái)X = 130 mm;Y = 130 mm;Z = 95 mm;T = -60°–90°;R = 360°連續(xù)旋轉(zhuǎn)

拉曼光譜儀(RAMAN

廠(chǎng)家:德國(guó)Witec

空間分辨率:XY方向優(yōu)于500 nm,Z方向優(yōu)于1500 nm(532 nm激光)

激發(fā)光波長(zhǎng):488 nm,532 nm,633 nm

平插能譜儀(EDS):XFlash FlatQUAD,60 mm2

斜插能譜儀(EDS):XFlash6|60,60 mm2

能量分辨率(Mn Ka):優(yōu)于129 eV

元素分析范圍: Be4~Cf98

二、應(yīng)用領(lǐng)域

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡具有較高分辨率,能進(jìn)行各種固態(tài)樣品表面形貌的二次電子像(SE)、背散射電子像(BSE)觀(guān)察及圖像處理。廣泛用于金屬材料、高分子材料、化工原料、地質(zhì)礦物、生物學(xué)、醫(yī)學(xué)、考古和文物鑒定分析。該電鏡配有平插能譜儀和斜插能譜儀,可用于表面的成分、元素定量、定性分析,多元素面掃描和線(xiàn)掃描分布測(cè)量。此外,該電鏡配備有拉曼成像系統(tǒng)(目前未安裝),激發(fā)光波長(zhǎng)488 nm,532 nm,633 nm,可以實(shí)現(xiàn)電鏡內(nèi)共聚焦拉曼2D和3D成像。

預(yù)約請(qǐng)登錄:https://facility.whu.edu.cn/

地點(diǎn):武漢大學(xué)尖端科技樓101D

聯(lián)系人:郭老師15077903171,李老師13277058601